STMicroelectronics, un leader international des semi-conducteurs au service de clients dans tout le spectre des applications électroniques, a lancé des modules haute puissance pour camions électriques qui augmentent l’efficacité et la variété de conduite. Les nouveaux modules d’alimentation en carbure de silicium (SiC) de ST ont en fait été choisis pour la plate-forme de véhicules électriques E-GMP de Hyundai partagée par KIA EV6 et de nombreux modèles.
Cinq nouveaux modules d’alimentation basés sur SiC-MOSFET offrent des options polyvalentes pour constructeurs automobiles, couvrant une sélection de scores de puissance et prenant en charge les tensions de fonctionnement fréquemment utilisées dans les applications de traction de camions électriques (VE). Logés dans le bundle ACEPACK DRIVE de ST amélioré pour les applications de traction, les modules d’alimentation sont fiables grâce à l’innovation de frittage, robustes et simples à intégrer pour les producteurs dans les entraînements EV. En interne, les principaux semi-conducteurs de puissance sont les MOSFET SiC STPOWER de troisième génération (Gen3) de ST, qui associent un avantage inégalé dans l’industrie (RDS(ON) x emplacement de puce) à une énergie de commutation extrêmement faible et à des performances incroyables en redressement synchrone.
« Les services de carbure de silicium ST permettent aux principaux équipementiers automobiles de définir le taux d’électrification lors du développement des futures générations de véhicules électriques« , a déclaréMarco Monti, président, Automobile et groupe discret, STMicroelectronics. « Notre innovation SiC de troisième génération garantit la plus grande densité de puissance et efficacité énergétique, conduisant à des performances, une autonomie et un temps de charge remarquables. »
un leader sur le marché des véhicules électriques automobiles , Hyundai Motor Business a en fait choisi les modules de puissance basés sur ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET Gen3 de ST pour sa plate-forme EV de génération actuelle, appelée E-GMP. Les modules alimenteront notamment la Kia EV6. « Les modules de puissance basés sur SiC-MOSFET de ST sont la meilleure option pour nos onduleurs de traction, permettant une plus grande variété. La coopération entre nos deux activités a en fait réalisé une action considérable vers des automobiles électriques plus durables, tirant parti de l’investissement financier technologique continu de ST pour être le principal acteur des semi-conducteurs dans la transformation de l’électrification, » a déclaré M. Sang-Cheol Shin, Inverter Engineering Style Group chez Hyundai Motor Group.
En tant que leader du marché dans cette technologie, ST a en fait fournit actuellement des gadgets STPOWER SiC pour plus de trois millions d’automobiles produites en série dans le monde. Par rapport aux semi-conducteurs de puissance traditionnels en silicium, les gadgets SiC plus petits peuvent gérer des tensions de fonctionnement plus élevées qui permettent une charge plus rapide et des caractéristiques de camion exceptionnelles. Les performances énergétiques sont également augmentées, ce qui augmente l’autonomie, et la fiabilité peut être étendue. Le SiC acquiert une adoption massive dans plusieurs systèmes EV tels que le convertisseur DC-DC, l’onduleur de traction et les chargeurs embarqués (OBC) avec un fonctionnement bidirectionnel préparé pour le transfert de puissance du véhicule au réseau. La stratégie SiC de ST, en tant que fabricant de dispositifs intégrés (IDM), garantit la qualité et la sécurité d’approvisionnement au service des techniques d’électrification des constructeurs automobiles. Avec l’installation de production de substrats SiC totalement intégrée récemment annoncée à Catane, qui devrait commencer la production en 2023, ST agit rapidement pour soutenir la transition rapide du marché vers l’e-mobilité.
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